IT 之家 4 月 9 日音讯，英特尔代劳动事（Intel Foundry）刚刚杀青了新的里程碑，到手研发出大众首款、亦然最薄的氮化镓芯粒（GaN chiplet），厚度仅 19 微米。

凭借这项最新服从，英特尔在紧凑尺寸内杀青了更高功率、更快速率与更高能效。英特尔代工业绩部的筹办团队展示了首款继承 300 毫米氮化镓 - 硅晶圆制成的氮化镓芯粒，厚度仅 19 微米，将为半导体行业的下一阶段发展提供能源。该服从中枢亮点如下：

1. 英特尔代劳动事打造出大众最薄的氮化镓（GaN）芯粒，其基底硅片厚度仅 19 微米，由 300 毫米硅基氮化镓晶圆加工制成。

2. 筹办东谈主员到手将氮化镓晶体管与传统硅基数字电路集成在单一芯片上，可平直在电源芯粒中杀青复杂贪图功能，无需特地搭配孤独赞成芯片。

3. 严苛测熟习证标明，这款全新氮化镓芯粒时间具备可靠的商用落地后劲，可称心履行期骗的可靠性标准，能为数据中心、下一代 5G 及 6G 通讯等边界打造更工整、更高效的电子缔造。

IT 之家附英特尔新闻稿中枢内容如下：

英特尔代劳动事筹办东谈主员展示了基于 300 毫米硅基氮化镓晶圆打造的始创型氮化镓芯粒时间，在半导体设想边界杀青紧要率性。该服从亮相 2025 年 IEEE 外洋电子器件会议（IEDM），攻克了当代贪图边界的中枢辛勤之一：在愈发紧凑的空间内杀青更高功率、更快速率与更高能效。为称心图形处理器、作事器及无线积累对极致性能的需求，英特尔代劳动事团队研发出这款超薄氮化镓芯粒，基底硅片厚度仅 19 微米，约为东谈主类头发丝直径的五分之一；同期搭载业内首款全单片片上数字限度电路，整套器件均继承一体化集成制造工艺完成。

这项立异源于当代电子缔造的中枢矛盾：既要在有限空间内集成更多功能，又要承载更高功率负载与更快数据传输速率。传统硅基时间已靠拢物理极限，行业正转向氮化镓等新式材料弥补时间缺口。英特尔代劳动事将超薄氮化镓芯粒与片上数字限度电路和会，真钱投注app平台省去孤独赞成芯片，裁汰了元器件间信号传输的能浮滥耗。全面可靠性测试进一步说明，该时间平台具备商用居品化后劲。

该时间将为多个行业带来本质性升级。在数据中心边界，氮化镓芯粒切换速率更快，能浮滥耗低于传统硅基决议，可打造体积更小、能效更高的稳压器，且能更贴近处理器部署，减少长距离供电澄澈产生的电阻能浮滥耗。在无线基础顺序边界，氮化镓晶体管的高频性能使其成为射频前端时间的理思选拔，可期骗于改日十年部署的 5G、6G 通讯基站。氮化镓能在 200GHz 以上频率高效谨慎运转，完整适配下一代积累依赖的厘米波与毫米波频段。除通讯积累外，该时间还可期骗于雷达系统、卫星通讯及光子学期骗等需要高速电信号切换杀青光信号调制的场景。

与传统基于 CMOS 工艺的硅芯片相比，氮化镓芯粒具备硅基材料在物理极限下无法相比的空洞上风。氮化镓领有更高功率密度，可在更小体积内杀青更强系统性能，这一中枢上风适用于空间受限场景，如数据中心负载点供电、电动汽车（可挪动的数据中心）及无线基站。传统硅材料在结温高出 150 ℃ 足下时可靠性大幅下跌，罢休了其在高温环境中的期骗。

氮化镓更宽的禁带宽度使其可在更高温度下谨慎运转，裁汰开关经由中的功率损耗，进步热惩处服从，进而减小散热系统体积并裁汰老本。此外真钱投注app平台，英特尔代劳动事继承标准 300 毫米硅晶圆分娩氮化镓器件，可兼容现存硅基制造产线，无需参加大范围新增缔造老本。

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